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HMC646LP2E
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명세서
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시리즈-
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패키지Strip
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부품 상태Active
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RF 유형Cellular, TD-SCDMA
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토폴로지Reflective
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회로SPDT
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주파수 범위100MHz ~ 2.1GHz
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격리32dB
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삽입 손실1.3dB
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테스트 빈도2.025GHz
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p1db-
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iip334dBm
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특징-
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임피던스50Ohm
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전압 - 공급3V ~ 8V
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작동 온도-40°C ~ 85°C
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패키지/케이스6-TDFN Exposed Pad
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공급업체 장치 패키지6-DFN (2x2)
