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G2R1000MT33J
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명세서
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시리즈G2R™
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패키지Tube
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부품 상태Active
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펫 유형N-Channel
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기술SiCFET (Silicon Carbide)
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드레인-소스 전압(vdss)3300 V
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전류 - 연속 배수(id) @ 25°c4A (Tc)
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구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)20V
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(최대) @ id, vgs의 rds1.2Ohm @ 2A, 20V
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vgs(th) (최대) @ id3.5V @ 2mA
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게이트 전하(qg)(최대) @ vgs21 nC @ 20 V
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vgs(최대)+20V, -5V
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입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds238 pF @ 1000 V
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fet 기능-
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전력 손실(최대)74W (Tc)
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작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
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장착 유형Surface Mount
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공급업체 장치 패키지TO-263-7
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패키지/케이스TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
