IMBF170R650M1XTMA1

IMBF170R650M1XTMA1

제조업체

IR (Infineon Technologies)

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

설명

SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7

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명세서

  • 시리즈
    CoolSiC™
  • 패키지
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 부품 상태
    Active
  • 펫 유형
    N-Channel
  • 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    1700 V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    7.4A (Tc)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
    12V, 15V
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    650mOhm @ 1.5A, 15V
  • vgs(th) (최대) @ id
    5.7V @ 1.7mA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    8 nC @ 12 V
  • vgs(최대)
    +20V, -10V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    422 pF @ 1000 V
  • fet 기능
    -
  • 전력 손실(최대)
    88W (Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형
    -
  • 공급업체 장치 패키지
    PG-TO263-7
  • 패키지/케이스
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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