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IXBT6N170
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명세서
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시리즈BIMOSFET™
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패키지Tube
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부품 상태Active
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IGBT 유형-
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전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)1700 V
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전류 - 콜렉터(ic)(최대)12 A
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전류 - 콜렉터 펄스(icm)36 A
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vce(on) (최대) @ vge, ic3.4V @ 15V, 6A
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힘 - 최대75 W
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스위칭 에너지-
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입력 유형Standard
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게이트 요금17 nC
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td(켜기/끄기) @ 25°c-
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테스트 조건-
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역회복 시간(trr)1.08 µs
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작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
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장착 유형Surface Mount
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패키지/케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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공급업체 장치 패키지TO-268
