A2I25H060GNR1

A2I25H060GNR1

제조업체

NXP Semiconductors

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - rf

설명

IC TRANS RF LDMOS

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tape & Reel (TR)
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    LDMOS (Dual)
  • 빈도
    2.59GHz
  • 얻다
    26.1dB
  • 전압 - 테스트
    28 V
  • 현재 정격(암페어)
    -
  • 잡음 지수
    -
  • 현재 - 테스트
    26 mA
  • 전력 - 출력
    10.5W
  • 전압 - 정격
    65 V
  • 패키지/케이스
    TO-270-17 Variant, Gull Wing
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-270WBG-17

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