NXH35C120L2C2S1G

NXH35C120L2C2S1G

제조업체

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

제품 카테고리

트랜지스터 - igbt - 모듈

설명

IGBT MOD 1200V 35A 26DIP

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • IGBT 유형
    -
  • 구성
    Three Phase Inverter with Brake
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    1200 V
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    35 A
  • 힘 - 최대
    20 mW
  • vce(on) (최대) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 35A
  • 전류 - 컬렉터 차단(최대)
    250 µA
  • 입력 커패시턴스(cies) @ vce
    8.33 nF @ 20 V
  • 입력
    Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터
    Yes
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 패키지/케이스
    26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • 공급업체 장치 패키지
    26-DIP

NXH35C120L2C2S1G 조회를 요청하다

재고 1941
수량:
단가(참고가격):
44.22000
목표 주가:
총:44.22000