71256L55DB

71256L55DB

제조업체

Renesas Electronics America

제품 카테고리

메모리

설명

IC SRAM 256KBIT PAR 28CERDIP

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 포맷
    SRAM
  • 기술
    SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기
    256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 클럭 주파수
    -
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    55ns
  • 액세스 시간
    55 ns
  • 전압 - 공급
    4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도
    -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 패키지/케이스
    28-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급업체 장치 패키지
    28-CerDip

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