5HN01M-TL-E-SA

5HN01M-TL-E-SA

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

설명

MOSFET N-CH 50V 100MA MCP

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 펫 유형
    N-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    50 V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    100mA (Ta)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
    -
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    7.5Ohm @ 50mA, 10V
  • vgs(th) (최대) @ id
    2.4V @ 100µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    1.4 nC @ 10 V
  • vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    6.2 pF @ 10 V
  • fet 기능
    -
  • 전력 손실(최대)
    150mW (Ta)
  • 작동 온도
    150°C
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 공급업체 장치 패키지
    MCP
  • 패키지/케이스
    SC-70, SOT-323

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