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명세서
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시리즈HEXFET®
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패키지Bulk
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부품 상태Active
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펫 유형N-Channel
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기술MOSFET (Metal Oxide)
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드레인-소스 전압(vdss)55 V
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전류 - 연속 배수(id) @ 25°c39A (Tc)
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구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)10V
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(최대) @ id, vgs의 rds16.5mOhm @ 28A, 10V
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vgs(th) (최대) @ id4V @ 250µA
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게이트 전하(qg)(최대) @ vgs72 nC @ 10 V
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vgs(최대)±20V
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입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds1.696 pF @ 25 V
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fet 기능-
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전력 손실(최대)3.8W (Ta), 107W (Tc)
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작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
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장착 유형Through Hole
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공급업체 장치 패키지TO-262
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패키지/케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
