BFR949L3E6327

BFR949L3E6327

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - rf

설명

RF BIPOLAR TRANSISTOR

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    10V
  • 주파수 - 전환
    9GHz
  • 잡음 지수(db typ @ f)
    1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
  • 얻다
    21.5dB
  • 힘 - 최대
    250mW
  • dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce
    100 @ 5mA, 6V
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    50mA
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    SC-101, SOT-883
  • 공급업체 장치 패키지
    PG-TSLP-3-1

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