DF200R12PT4B6BOSA1

DF200R12PT4B6BOSA1

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - igbt - 모듈

설명

DFXR12P - IGBT MODULE

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 구성
    Three Phase Inverter
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    1.2 V
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    300 A
  • 힘 - 최대
    1.1 W
  • vce(on) (최대) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 200A
  • 전류 - 컬렉터 차단(최대)
    15 µA
  • 입력 커패시턴스(cies) @ vce
    12.5 nF @ 25 V
  • 입력
    Standard
  • NTC 서미스터
    Yes
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형
    Chassis Mount
  • 패키지/케이스
    Module
  • 공급업체 장치 패키지
    Module

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