IGP01N120H2XKSA1

IGP01N120H2XKSA1

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - igbt - 단일

설명

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Obsolete
  • IGBT 유형
    -
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    1.2 V
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    3.2 A
  • 전류 - 콜렉터 펄스(icm)
    3.5 A
  • vce(on) (최대) @ vge, ic
    2.8V @ 15V, 1A
  • 힘 - 최대
    28 W
  • 스위칭 에너지
    140µJ
  • 입력 유형
    Standard
  • 게이트 요금
    8.6 nC
  • td(켜기/끄기) @ 25°c
    13ns/370ns
  • 테스트 조건
    800V, 1A, 241Ohm, 15V
  • 역회복 시간(trr)
    -
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 패키지/케이스
    TO-220-3
  • 공급업체 장치 패키지
    PG-TO220-3

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