-
-
공장 직거래를 통한 저렴한 가격
전자제품 공장과 직접 협력하여 중개인을 제거하세요. 저렴하고 할인된 가격의 새로운 원본
-
안전 & 품질 신뢰성
최고의 제품 품질을 위한 품질 보험 시스템. 정시에 고품질 구성 요소를 항상 제공합니다.
-
1,500만 개 이상의 재고
100개 이상의 유명 글로벌 제조업체, 1,500만 개가 넘는 재고. 할인된 가격으로 직접 구매할 수 있는 재고가 있습니다.
-
고객 친화적인 서비스
귀하의 고유한 요구 사항에 맞게 맞춤화된 원스톱 솔루션입니다. 12개 언어 웹사이트 지원으로 더욱 편리하고 빠른 서비스를 제공합니다.
IPD60R600E6ATMA1
RFQ 이메일: [email protected] or 온라인 문의
명세서
-
시리즈CoolMOS™ E6
-
패키지Bulk
-
부품 상태Active
-
펫 유형N-Channel
-
기술MOSFET (Metal Oxide)
-
드레인-소스 전압(vdss)600 V
-
전류 - 연속 배수(id) @ 25°c7.3A (Tc)
-
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)10V
-
(최대) @ id, vgs의 rds600mOhm @ 2.4A, 10V
-
vgs(th) (최대) @ id3.5V @ 200µA
-
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs20.5 nC @ 10 V
-
vgs(최대)±20V
-
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds440 pF @ 100 V
-
fet 기능-
-
전력 손실(최대)63W (Tc)
-
작동 온도-
-
장착 유형Surface Mount
-
공급업체 장치 패키지TO-252
-
패키지/케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
