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IR25606SPBF
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명세서
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시리즈-
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패키지Bulk
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부품 상태Active
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구동 구성Half-Bridge
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채널 유형Independent
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운전자 수2
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게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
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전압 - 공급10V ~ 20V
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논리 전압 - vil, vih0.8V, 2.9V
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전류 - 피크 출력(소스, 싱크)200mA, 350mA
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입력 유형Non-Inverting
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하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩)600 V
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상승/하강 시간(일반)150ns, 50ns
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작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
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장착 유형Surface Mount
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패키지/케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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공급업체 장치 패키지8-SOIC
