명세서

• 시리즈
  HEXFET®
• 패키지
  Bulk
• 부품 상태
  Active
• 펫 유형
  N-Channel
• 기술
  MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압(vdss)
  25 V
• 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
  28A (Ta), 125A (Tc)
• 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
  4.5V, 10V
• (최대) @ id, vgs의 rds
  1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (최대) @ id
  2.1V @ 50µA
• 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
  25 nC @ 4.5 V
• vgs(최대)
  ±16V
• 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
  2.51 pF @ 13 V
• fet 기능
  -
• 전력 손실(최대)
  2.1W (Ta), 42W (Tc)
• 작동 온도
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형
  Surface Mount
• 공급업체 장치 패키지
  DIRECTFET™ S3C
• 패키지/케이스
  DirectFET™ Isometric S3C