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IRF7807VTRPBF
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명세서
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시리즈HEXFET®
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패키지Bulk
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부품 상태Active
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펫 유형N-Channel
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기술MOSFET (Metal Oxide)
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드레인-소스 전압(vdss)30 V
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전류 - 연속 배수(id) @ 25°c8.3A (Ta)
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구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)4.5V
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(최대) @ id, vgs의 rds25mOhm @ 7A, 4.5V
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vgs(th) (최대) @ id3V @ 250µA
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게이트 전하(qg)(최대) @ vgs14 nC @ 5 V
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vgs(최대)±20V
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입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds-
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fet 기능-
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전력 손실(최대)2.5W (Ta)
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작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
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장착 유형Surface Mount
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공급업체 장치 패키지8-SO
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패키지/케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
