IRF9910PBF

IRF9910PBF

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이

설명

N-CHANNEL POWER MOSFET

명세서

  • 시리즈
    HEXFET®
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 펫 유형
    2 N-Channel (Dual)
  • fet 기능
    Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    20V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    10A, 12A
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    13.4mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (최대) @ id
    2.55V @ 250µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    11nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    900pF @ 10V
  • 힘 - 최대
    2W
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급업체 장치 패키지
    8-SO

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