MBD110DWT1G

MBD110DWT1G

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

다이오드 - rf

설명

MIXER DIODE

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 다이오드 유형
    Schottky - 2 Independent
  • 전압 - 피크 역방향(최대)
    7V
  • 현재 - 최대
    -
  • 커패시턴스 @ vr, f
    1pF @ 0V, 1MHz
  • 저항 @ if, f
    -
  • 전력 손실(최대)
    120 mW
  • 작동 온도
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • 패키지/케이스
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급업체 장치 패키지
    SC-88/SC70-6/SOT-363

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