MJD200T4G

MJD200T4G

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일

설명

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, 25

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    5 A
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    25 V
  • vce 포화(최대) @ ib, ic
    1.8V @ 1A, 5A
  • 전류 - 컬렉터 차단(최대)
    100nA (ICBO)
  • dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce
    45 @ 2A, 1V
  • 힘 - 최대
    1.4 W
  • 주파수 - 전환
    65MHz
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급업체 장치 패키지
    DPAK

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