MJD340TF

MJD340TF

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일

설명

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    500 mA
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    300 V
  • vce 포화(최대) @ ib, ic
    -
  • 전류 - 컬렉터 차단(최대)
    100µA
  • dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce
    30 @ 50mA, 10V
  • 힘 - 최대
    1.56 W
  • 주파수 - 전환
    -
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급업체 장치 패키지
    D-Pak

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재고 42529
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