MRF6VP2600HR5

MRF6VP2600HR5

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - rf

설명

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    LDMOS (Dual)
  • 빈도
    225MHz
  • 얻다
    25dB
  • 전압 - 테스트
    50 V
  • 현재 정격(암페어)
    -
  • 잡음 지수
    -
  • 현재 - 테스트
    2.6 A
  • 전력 - 출력
    125W
  • 전압 - 정격
    110 V
  • 패키지/케이스
    NI-1230
  • 공급업체 장치 패키지
    NI-1230

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