NGTB30N120FL2WG

NGTB30N120FL2WG

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - igbt - 단일

설명

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    1.2 V
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    60 A
  • 전류 - 콜렉터 펄스(icm)
    120 A
  • vce(on) (최대) @ vge, ic
    2.3V @ 15V, 30A
  • 힘 - 최대
    452 W
  • 스위칭 에너지
    2.6mJ (on), 700µJ (off)
  • 입력 유형
    Standard
  • 게이트 요금
    220 nC
  • td(켜기/끄기) @ 25°c
    98ns/210ns
  • 테스트 조건
    600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역회복 시간(trr)
    240 ns
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 패키지/케이스
    TO-247-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-247

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재고 7063
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4.79000
목표 주가:
총:4.79000

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