NSBA124EF3T5G

NSBA124EF3T5G

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일, 사전 바이어스

설명

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    PNP - Pre-Biased
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    100 mA
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    50 V
  • 저항기 - 베이스(r1)
    22 kOhms
  • 저항 - 이미터 베이스(r2)
    22 kOhms
  • dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce
    60 @ 5mA, 10V
  • vce 포화(최대) @ ib, ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류 - 컬렉터 차단(최대)
    500nA
  • 주파수 - 전환
    -
  • 힘 - 최대
    254 mW
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    SOT-1123
  • 공급업체 장치 패키지
    SOT-1123

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