NSV40300MDR2G

NSV40300MDR2G

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이

설명

LOW VCE(SAT) TRANSISTOR, DUAL PN

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    2 PNP (Dual)
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    3A
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    40V
  • vce 포화(최대) @ ib, ic
    170mV @ 200mA, 2A
  • 전류 - 컬렉터 차단(최대)
    100nA (ICBO)
  • dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce
    180 @ 1A, 2V
  • 힘 - 최대
    653mW
  • 주파수 - 전환
    100MHz
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급업체 장치 패키지
    8-SOIC

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