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NTD4854N-1G
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명세서
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시리즈-
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패키지Tube
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부품 상태Obsolete
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펫 유형N-Channel
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기술MOSFET (Metal Oxide)
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드레인-소스 전압(vdss)25 V
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전류 - 연속 배수(id) @ 25°c15.7A (Ta), 128A (Tc)
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구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)4.5V, 10V
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(최대) @ id, vgs의 rds3.6mOhm @ 30A, 10V
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vgs(th) (최대) @ id2.5V @ 250µA
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게이트 전하(qg)(최대) @ vgs49.2 nC @ 4.5 V
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vgs(최대)±20V
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입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds4.6 pF @ 12 V
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fet 기능-
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전력 손실(최대)1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
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작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
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장착 유형Through Hole
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공급업체 장치 패키지I-PAK
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패키지/케이스TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
