RJK1001DPN-E0#T2

RJK1001DPN-E0#T2

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

설명

MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 펫 유형
    N-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    100 V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    80A (Ta)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
    -
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    5.5mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (최대) @ id
    -
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    147 nC @ 10 V
  • vgs(최대)
    -
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    10 pF @ 10 V
  • fet 기능
    -
  • 전력 손실(최대)
    200W (Tc)
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-220AB
  • 패키지/케이스
    TO-220-3

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재고 13000
수량:
단가(참고가격):
2.49000
목표 주가:
총:2.49000