SVC236-TB-E

SVC236-TB-E

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

다이오드 - 가변 용량(배리캡, 버랙터)

설명

DIFFUSED JUNCTION TYPE SILICON V

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 커패시턴스 @ vr, f
    16.84pF @ 6.5V, 1MHz
  • 용량 비율
    5
  • 용량 비율 조건
    C1/C6.5
  • 전압 - 피크 역방향(최대)
    16 V
  • 다이오드 유형
    1 Pair Common Cathode
  • q @ vr, f
    70 @ 3V, 100MHz
  • 작동 온도
    125°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급업체 장치 패키지
    3-CP

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