PD20010-E

PD20010-E

제조업체

STMicroelectronics

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - rf

설명

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    LDMOS
  • 빈도
    2GHz
  • 얻다
    11dB
  • 전압 - 테스트
    13.6 V
  • 현재 정격(암페어)
    5A
  • 잡음 지수
    -
  • 현재 - 테스트
    150 mA
  • 전력 - 출력
    10W
  • 전압 - 정격
    40 V
  • 패키지/케이스
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
  • 공급업체 장치 패키지
    PowerSO-10RF (Formed Lead)

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