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SCTWA35N65G2V
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명세서
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시리즈-
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패키지Tube
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부품 상태Active
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펫 유형N-Channel
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기술SiCFET (Silicon Carbide)
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드레인-소스 전압(vdss)650 V
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전류 - 연속 배수(id) @ 25°c45A (Tc)
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구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)18V, 20V
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(최대) @ id, vgs의 rds72mOhm @ 20A, 20V
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vgs(th) (최대) @ id3.2V @ 1mA
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게이트 전하(qg)(최대) @ vgs73 nC @ 20 V
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vgs(최대)+20V, -5V
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입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds73000 pF @ 400 V
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fet 기능-
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전력 손실(최대)208W (Tc)
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작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
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장착 유형Through Hole
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공급업체 장치 패키지TO-247 Long Leads
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패키지/케이스TO-247-3
