STGYA120M65DF2

STGYA120M65DF2

제조업체

STMicroelectronics

제품 카테고리

트랜지스터 - igbt - 단일

설명

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

명세서

  • 시리즈
    M
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • IGBT 유형
    NPT, Trench Field Stop
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    650 V
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    160 A
  • 전류 - 콜렉터 펄스(icm)
    360 A
  • vce(on) (최대) @ vge, ic
    1.95V @ 15V, 120A
  • 힘 - 최대
    625 W
  • 스위칭 에너지
    1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
  • 입력 유형
    Standard
  • 게이트 요금
    420 nC
  • td(켜기/끄기) @ 25°c
    66ns/185ns
  • 테스트 조건
    400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
  • 역회복 시간(trr)
    202 ns
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 패키지/케이스
    TO-247-3 Exposed Pad
  • 공급업체 장치 패키지
    MAX247™

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재고 5110
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단가(참고가격):
11.69000
목표 주가:
총:11.69000

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