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TS63210K
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명세서
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시리즈Symmetric
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패키지Strip
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부품 상태Active
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RF 유형Cellular
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토폴로지Reflective
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회로SPDT
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주파수 범위1MHz ~ 1GHz
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격리23dB
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삽입 손실0.25dB
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테스트 빈도500MHz
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p1db42dBm
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iip370dBm
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특징-
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임피던스50Ohm
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전압 - 공급2.6V ~ 5.5V
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작동 온도-40°C ~ 85°C
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패키지/케이스16-VFQFN Exposed Pad
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공급업체 장치 패키지16-QFN (3x3)
