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RN1132MFV,L3F
제조업체
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
제품 카테고리
트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일, 사전 바이어스
설명
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RFQ 이메일: [email protected] or 온라인 문의
명세서
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시리즈-
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패키지Tape & Reel (TR)
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부품 상태Active
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트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
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전류 - 콜렉터(ic)(최대)100 mA
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전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)50 V
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저항기 - 베이스(r1)200 kOhms
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저항 - 이미터 베이스(r2)-
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dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce120 @ 1mA, 5V
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vce 포화(최대) @ ib, ic300mV @ 500µA, 5mA
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전류 - 컬렉터 차단(최대)100nA (ICBO)
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주파수 - 전환-
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힘 - 최대150 mW
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장착 유형Surface Mount
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패키지/케이스SOT-723
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공급업체 장치 패키지VESM
