SI2327DS-T1-GE3

SI2327DS-T1-GE3

제조업체

Vishay / Siliconix

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

설명

MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3

명세서

  • 시리즈
    TrenchFET®
  • 패키지
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 펫 유형
    P-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    200 V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    380mA (Ta)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
    6V, 10V
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    2.35Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (최대) @ id
    4.5V @ 250µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    12 nC @ 10 V
  • vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    510 pF @ 25 V
  • fet 기능
    -
  • 전력 손실(최대)
    750mW (Ta)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 공급업체 장치 패키지
    SOT-23-3 (TO-236)
  • 패키지/케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2327DS-T1-GE3 조회를 요청하다

재고 6681
수량:
목표 주가:
총:0

데이터 시트