SIZF906BDT-T1-GE3

SIZF906BDT-T1-GE3

제조업체

Vishay / Siliconix

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이

설명

DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

명세서

  • 시리즈
    TrenchFET® Gen IV
  • 패키지
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 부품 상태
    Active
  • 펫 유형
    2 N-Channel (Dual), Schottky
  • fet 기능
    Standard
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    30V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (최대) @ id
    2.2V @ 250µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    49nC @ 10V, 165nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
  • 힘 - 최대
    4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    8-PowerWDFN
  • 공급업체 장치 패키지
    8-PowerPair® (6x5)

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