EPC2100

EPC2100

제조업체

EPC

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이

설명

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

명세서

  • 시리즈
    eGaN®
  • 패키지
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 부품 상태
    Active
  • 펫 유형
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet 기능
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    30V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    10A (Ta), 40A (Ta)
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
  • vgs(th) (최대) @ id
    2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
  • 힘 - 최대
    -
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    Die
  • 공급업체 장치 패키지
    Die

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재고 8026
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6.94000
목표 주가:
총:6.94000

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