EPC2107

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제조업체

EPC

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이

설명

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

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명세서

  • 시리즈
    eGaN®
  • 패키지
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 부품 상태
    Active
  • 펫 유형
    3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • fet 기능
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    100V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    1.7A, 500mA
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
  • vgs(th) (최대) @ id
    2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    16pF @ 50V, 7pF @ 50V
  • 힘 - 최대
    -
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    9-VFBGA
  • 공급업체 장치 패키지
    9-BGA (1.35x1.35)

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