G3R45MT17D

G3R45MT17D

제조업체

GeneSiC Semiconductor

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

설명

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

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명세서

  • 시리즈
    G3R™
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • 펫 유형
    N-Channel
  • 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    1700 V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    61A (Tc)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
    15V
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    58mOhm @ 40A, 15V
  • vgs(th) (최대) @ id
    2.7V @ 8mA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    182 nC @ 15 V
  • vgs(최대)
    ±15V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    4523 pF @ 1000 V
  • fet 기능
    -
  • 전력 손실(최대)
    438W (Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-247-3
  • 패키지/케이스
    TO-247-3

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재고 2465
수량:
단가(참고가격):
32.68000
목표 주가:
총:32.68000