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GS8182T19BGD-400I
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명세서
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시리즈-
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패키지Tray
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부품 상태Active
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메모리 유형Volatile
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메모리 포맷SRAM
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기술SRAM - Synchronous
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메모리 크기18Mb (1M x 18)
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메모리 인터페이스Parallel
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클럭 주파수400 MHz
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쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지-
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액세스 시간-
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전압 - 공급1.7V ~ 1.9V
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작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
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장착 유형Surface Mount
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패키지/케이스165-LBGA
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공급업체 장치 패키지165-FPBGA (15x13)
