명세서

• 시리즈
  HEXFET®
• 패키지
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• 부품 상태
  Active
• 펫 유형
  N-Channel
• 기술
  MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압(vdss)
  150 V
• 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
  4.4A (Ta), 18A (Tc)
• 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
  10V
• (최대) @ id, vgs의 rds
  56mOhm @ 11A, 10V
• vgs(th) (최대) @ id
  5V @ 100µA
• 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
  32 nC @ 10 V
• vgs(최대)
  ±20V
• 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
  1360 pF @ 25 V
• fet 기능
  -
• 전력 손실(최대)
  2.7W (Ta), 45W (Tc)
• 작동 온도
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형
  Surface Mount
• 공급업체 장치 패키지
  DIRECTFET™ M2
• 패키지/케이스
  DirectFET™ Isometric M2