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MSAT-N25
RFQ 이메일: [email protected] or 온라인 문의
명세서
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시리즈-
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패키지Tray
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부품 상태Active
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다이오드 유형PIN - Single
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전압 - 피크 역방향(최대)200V
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현재 - 최대200 mA
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커패시턴스 @ vr, f-
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저항 @ if, f2.5Ohm @ 10mA, 500MHz
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전력 손실(최대)-
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작동 온도175°C (TJ)
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패키지/케이스0805 (2012 Metric)
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공급업체 장치 패키지2012
