APT80GA90S

APT80GA90S

제조업체

Roving Networks / Microchip Technology

제품 카테고리

트랜지스터 - igbt - 단일

설명

IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A

명세서

  • 시리즈
    POWER MOS 8®
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • IGBT 유형
    PT
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    900 V
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    145 A
  • 전류 - 콜렉터 펄스(icm)
    239 A
  • vce(on) (최대) @ vge, ic
    3.1V @ 15V, 47A
  • 힘 - 최대
    625 W
  • 스위칭 에너지
    1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
  • 입력 유형
    Standard
  • 게이트 요금
    200 nC
  • td(켜기/끄기) @ 25°c
    18ns/149ns
  • 테스트 조건
    600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
  • 역회복 시간(trr)
    -
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • 공급업체 장치 패키지
    D3PAK

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