MSCSM120AM11CT3AG

MSCSM120AM11CT3AG

제조업체

Roving Networks / Microchip Technology

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이

설명

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • 펫 유형
    2 N Channel (Phase Leg)
  • fet 기능
    Silicon Carbide (SiC)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    1200V (1.2kV)
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    254A (Tc)
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    10.4mOhm @ 120A, 20V
  • vgs(th) (최대) @ id
    2.8V @ 3mA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    696nC @ 20V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    9060pF @ 1000V
  • 힘 - 최대
    1.067kW (Tc)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형
    Chassis Mount
  • 패키지/케이스
    Module
  • 공급업체 장치 패키지
    SP3F

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