A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

제조업체

NXP Semiconductors

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - rf

설명

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tape & Reel (TR)
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    LDMOS
  • 빈도
    2.496GHz ~ 2.69GHz
  • 얻다
    14.2dB
  • 전압 - 테스트
    48 V
  • 현재 정격(암페어)
    -
  • 잡음 지수
    -
  • 현재 - 테스트
    150 mA
  • 전력 - 출력
    50W
  • 전압 - 정격
    125 V
  • 패키지/케이스
    NI-780S-4L
  • 공급업체 장치 패키지
    NI-780S-4L

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