A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

제조업체

NXP Semiconductors

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - rf

설명

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    GaN HEMT
  • 빈도
    3.4GHz ~ 3.6GHz
  • 얻다
    16.1dB
  • 전압 - 테스트
    48 V
  • 현재 정격(암페어)
    -
  • 잡음 지수
    -
  • 현재 - 테스트
    291 mA
  • 전력 - 출력
    180W
  • 전압 - 정격
    125 V
  • 패키지/케이스
    NI-400S-2S
  • 공급업체 장치 패키지
    NI-400S-2S

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