3SK263-5-TG-E

3SK263-5-TG-E

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - rf

설명

SMALL SIGNAL FET

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 트랜지스터 유형
    N-Channel Dual Gate
  • 빈도
    200MHz
  • 얻다
    21dB
  • 전압 - 테스트
    6 V
  • 현재 정격(암페어)
    30mA
  • 잡음 지수
    2.2dB
  • 현재 - 테스트
    10 mA
  • 전력 - 출력
    -
  • 전압 - 정격
    15 V
  • 패키지/케이스
    TO-253-4, TO-253AA
  • 공급업체 장치 패키지
    4-CP

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