명세서

• 시리즈
  SIPMOS®
• 패키지
  Bulk
• 부품 상태
  Obsolete
• 펫 유형
  N-Channel
• 기술
  MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압(vdss)
  600 V
• 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
  120mA (Ta)
• 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
  0V, 10V
• (최대) @ id, vgs의 rds
  45Ohm @ 120mA, 10V
• vgs(th) (최대) @ id
  1V @ 94µA
• 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
  4.9 nC @ 5 V
• vgs(최대)
  ±20V
• 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
  146 pF @ 25 V
• fet 기능
  Depletion Mode
• 전력 손실(최대)
  1.8W (Ta)
• 작동 온도
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형
  Surface Mount
• 공급업체 장치 패키지
  PG-SOT223-4
• 패키지/케이스
  TO-261-4, TO-261AA