CY7C1413KV18-250BZC

CY7C1413KV18-250BZC

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

메모리

설명

QDR SRAM, 2MX18, 0.45NS, CMOS, P

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 포맷
    SRAM
  • 기술
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • 메모리 크기
    36Mb (2M x 18)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 클럭 주파수
    250 MHz
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 액세스 시간
    -
  • 전압 - 공급
    1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    165-LBGA
  • 공급업체 장치 패키지
    165-FBGA (13x15)

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