EMZ1DXV6T1G

EMZ1DXV6T1G

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이

설명

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 트랜지스터 유형
    NPN, PNP
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    100mA
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    60V
  • vce 포화(최대) @ ib, ic
    400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류 - 컬렉터 차단(최대)
    500nA (ICBO)
  • dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce
    120 @ 1mA, 6V
  • 힘 - 최대
    500mW
  • 주파수 - 전환
    180MHz, 140MHz
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    SOT-563, SOT-666
  • 공급업체 장치 패키지
    SOT-563

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