HSG1002VE-TL-E

HSG1002VE-TL-E

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - rf

설명

RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    3.5V
  • 주파수 - 전환
    38GHz
  • 잡음 지수(db typ @ f)
    0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
  • 얻다
    8dB ~ 19.5dB
  • 힘 - 최대
    200mW
  • dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce
    100 @ 5mA, 2V
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    35mA
  • 작동 온도
    -
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    4-SMD, Gull Wing
  • 공급업체 장치 패키지
    4-MFPAK

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