LM5112MY

LM5112MY

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

pmic - 게이트 드라이버

설명

BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 구동 구성
    Low-Side
  • 채널 유형
    Single
  • 운전자 수
    1
  • 게이트 유형
    N-Channel MOSFET
  • 전압 - 공급
    3.5V ~ 14V
  • 논리 전압 - vil, vih
    0.8V, 2.3V
  • 전류 - 피크 출력(소스, 싱크)
    3A, 7A
  • 입력 유형
    Inverting, Non-Inverting
  • 하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩)
    -
  • 상승/하강 시간(일반)
    14ns, 12ns
  • 작동 온도
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
  • 공급업체 장치 패키지
    8-MSOP-PowerPad

LM5112MY 조회를 요청하다

재고 33647
수량:
단가(참고가격):
0.61000
목표 주가:
총:0.61000